沈文娟：纵向+横向布局，打造激光产业“中国芯”

（文/白琥倪）在当今科技飞速发展的时代，半导体行业作为国家战略性新兴产业的重要组成部分，备受全球瞩目。在这一领域，有一位杰出人才，她以非凡的才华和坚韧不拔的精神，为推动我国半导体激光产业的发展做出了卓越贡献。她就是知名半导体科技有限公司的副总裁——沈文娟博士。

沈文娟，硕士毕业于河北工业大学，后在中国科学院半导体研究所深造，获得材料物理与化学博士学位，在半导体领域积累了丰富的研究经验。她领导的团队在半导体激光芯片领域取得了显著成就，其中《利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法》技术成果尤为突出，打破了国际在激光芯片领域的垄断，为我国激光产业的发展注入了强大动力。

氧化锌薄膜作为半导体领域的关键材料，以其宽带隙、高热稳定性和卓越的光电性能而著称。然而，传统生长方法存在生长温度高、结晶质量不佳及与硅衬底兼容性差等问题，限制了其在光电子器件中的应用。为解决这些问题，沈文娟博士带领公司半导体研发团队，创新性地提出了《利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法》。该方法通过引入缓冲层，有效降低了氧化锌薄膜的生长温度，显著提升了结晶质量，并大幅改善了与硅衬底的兼容性。

沈文娟博士及其团队经过深入研究和实践，成功克服了传统方法的诸多瓶颈。她们首先在硅衬底上生长一层氧化铝薄膜作为缓冲层，该薄膜具有良好的热稳定性和与硅衬底的良好兼容性，能够有效地缓解氧化锌薄膜与硅衬底之间的晶格失配问题。随后，在氧化铝缓冲层上生长氧化锌薄膜。沈文娟博士和她的团队通过精确控制生长条件，如温度、压力和气体流量等，可以在较低的温度下生长出高质量的氧化锌薄膜。这一过程不仅提高了结晶质量，还降低了生产成本，为大规模生产奠定了基础。

最后，对生长的氧化锌薄膜进行退火、表面修饰等后处理，以进一步优化其性能。沈文娟博士及其团队通过深入研究，成功提升了氧化锌薄膜的综合性能，使其在光电子器件中的应用潜力得到极大释放。凭借这一创新方法，公司成功地在硅衬底上生长出了高质量的氧化锌薄膜，为高性能激光芯片的开发提供了关键材料支撑。该项技术《利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法》目前在国际上处于领先地位，为我国乃至全球光电子产业带来了新的发展机遇。

作为公司的领导团队成员，沈文娟博士深知技术创新对企业发展的重要性。在她的推动下，公司加大研发投入，强化产学研合作，培养了一支具有国际竞争力的研发团队。

然而，沈文娟博士并未止步于此。她坚信，要在半导体激光芯片领域实现“中国芯”的目标，必须在纵向和横向两个维度上进行全面布局。纵向深入挖掘核心技术，提升产品性能和可靠性；横向则拓展应用领域，实现跨界融合，为我国经济社会发展注入更多创新活力。在沈文娟博士的领导下，企业集团正稳步迈向这一目标。公司不仅研发出多款具有国际竞争力的激光芯片产品，还积极拓展其在光通信、激光照明、激光显示等领域的应用。通过与国内外知名企业、科研院所的紧密合作，浙江地区的半导体材料产业架构正逐步构建起一个涵盖产业链上下游的半导体激光产业生态圈。未来，沈文娟将继续深耕技术创新，推动更多技术成果的应用与发展，为世界光电子产业的繁荣贡献更多的“中国力量”。